超薄硅片，也称为薄硅片，是一种厚度远低于标准硅片的硅片，标准硅片的厚度范围从几百微米到几百微米，而超薄硅片则要薄得多，通常低于 100 微米 (µm)，甚至只有几微米。标准硅晶圆是大多数集成电路 (IC) 和其他电子元件的基础。 它们为构建电子设备提供了坚固且稳定的平台。 但是，对于需要灵活或与薄度相关的特定功能的应用，超薄硅片成为首选
我们提供厚度范围为 5 微米到 100 微米，直径范围为 5 毫米到 6 英寸的独立超薄硅片。这些超薄硅片具有以下特点：
- 真正的镜面抛光双面抛光 (DSP)
- 良好的表面平整度
- 无雾霾
- 无空洞
- 低表面粗糙度 (RMS) (通常为 1-2 纳米)
- 超低的总厚度变化 (TTV) (通常小于 ±1 微米)
超薄硅片的应用领域：
- 微机电系统 (MEMS)
- CMOS
- 内存
- 图像传感器
- 发光二极管 (LED)
- 互连器
- 射频 (RF) 设备
- 逻辑电路
独立超薄硅片的研发是半导体制造的一个重要组成部分。 这些晶圆使用外延生长工艺制造。 这项技术可以在制造过程中实现更高的良率和更低的多晶硅用量。 此外，这些器件还可以降低与硅模块制造相关的资本成本。
形成这些薄膜硅片的过程基于自限电势相互作用。 无论衬底的尺寸如何，该工艺都可以形成大面积的薄膜。 该过程中使用的试剂量决定了可实现的最大厚度。 这个过程允许广泛的扩展性。 这些薄膜尺寸的唯一限制是沉积设备和聚合物的固有强度。
相比之下，超薄薄膜沉积在薄的低密度聚乙烯 (LDPE) 薄膜上。 这些薄膜的厚度可以从几微米到几厘米不等。 薄膜的厚度可以低至 5 微米。 该聚合物还可以减少接触复合。 此外，薄膜的厚度可以非常大，最大可达 100 毫米。 牺牲层通常限制在几平方毫米。
超薄硅晶圆 - 立即订购！厚度范围从 5μm 到 100μm 及以上！
我们拥有大量现货库存，厚度范围从 5 微米到 100 微米 (μm) 及以上的超薄硅片，具体规格包括 5μm、10μm、25μm、50μm 等。
我们的超薄硅晶圆采用以下专有工艺组合制造：
- 晶圆键合
- 研磨
- 抛光
- 去粘结工艺
晶圆直径/尺寸范围为 25.4毫米到 150毫米，某些情况下可以更大。
