TAIKO 工艺是一种用于制造超薄硅晶圆的特殊工艺，由日本 DISCO 公司开发。它通过只研磨晶圆的内侧，而保留外围边缘部分较厚的方法来实现晶圆减薄。相比于传统的全片背面研磨工艺，TAIKO 工艺具有以下优势：
- 提高晶圆的机械强度： 由于保留了边缘部分，晶圆的刚性得到增强，不易碎裂和翘曲，从而提高了晶圆在搬运、加工和封装等环节中的安全性。
- 减轻晶圆背面应力： 由于研磨区域仅限于晶圆内侧，晶圆背面的应力分布更加均匀，有助于提高晶圆的尺寸稳定性和器件良率。
- 提高晶圆加工的灵活性： 保留的边缘部分可以作为晶圆的搬运和操作区域，方便后续的加工步骤。
TAIKO 工艺的具体步骤如下：
- 晶圆清洗： 首先对晶圆进行清洗，去除表面的灰尘和污染物。
- 贴膜： 在晶圆背面贴附一层保护膜，以防止研磨过程中晶圆表面的损伤。
- 研磨： 使用研磨机对晶圆的内侧进行研磨，逐渐减薄晶圆的厚度。
- 去膜： 去除晶圆背面的保护膜。
- 清洗： 再次清洗晶圆，去除研磨过程中产生的残留物。
- 切割： 将晶圆切割成所需的尺寸。
TAIKO 工艺广泛应用于各种半导体器件的制造，特别是对于要求高性能、高可靠性的器件，例如射频器件、功率器件和 MEMS 器件等。
以下是一些 TAIKO 工艺的应用示例：
- 射频器件： 在射频器件中，TAIKO 工艺可以用于制造超薄的硅基板，以提高器件的性能和效率。
- 功率器件： 在功率器件中，TAIKO 工艺可以用于减薄晶圆背面，以降低器件的导通损耗和提高散热能力。
- MEMS 器件： 在 MEMS 器件中，TAIKO 工艺可以用于制造三维结构，以实现复杂的器件功能。
TAIKO 工艺是一种先进的晶圆减薄工艺，具有提高晶圆强度、减轻晶圆应力和提高加工灵活性的优点，在半导体器件制造中发挥着重要作用。
Ultra thin wafer 超薄晶圆 vs. TAIKO 晶圆
超薄晶圆和 TAIKO 晶圆都是用于半导体制造的硅晶圆类型，但它们的关键特性有所不同：
超薄晶圆：
- 厚度： 超薄晶圆以其极度薄为特征，通常厚度小于 100 微米 (µm)，甚至只有几微米。 标准晶圆的厚度可以从几百微米到几百微米不等。
- 应用： 由于超薄晶圆的薄度和柔韧性，它们非常适合需要这些特性的应用，例如：
- 柔性电子设备： 可以用于制造可弯曲的显示器、传感器和其他电子组件。
- 微机电系统 (MEMS)： 薄度允许创建精致和精确的微结构。
- 功率电子设备： 在某些情况下，可以提高性能或减轻重量。
- 制造挑战： 在制造过程中，保持晶圆完整性和实现整个表面的均匀厚度至关重要。
TAIKO 晶圆：
- 厚度： TAIKO 晶圆的厚度可以是标准厚度（几百微米）甚至更厚。
- 处理： TAIKO 晶圆的一个定义特征是其经过的 背面研磨 工艺。 该工艺仅使晶圆的 内圆周变薄，留下较厚的边缘（约 3 毫米）用于操作。 这允许在保持稳定基座的同时，更轻松地处理和加工薄晶圆。
- 应用： TAIKO 晶圆特别适用于以下情况：
- 需要进行 背面处理 的情况，例如为特定应用减薄晶圆。
- 器件制造需要正面为标准厚度的情况。
- 在可能损坏超薄晶圆的处理步骤中需要操作晶圆的情况。
帮助理解差异的比喻：
想象一个披萨饼。标准晶圆就像一个普通的披萨，整个饼皮厚度一致。 超薄晶圆就像超薄的饼皮披萨。 TAIKO 晶圆就像一个外皮很厚，但中间部分薄得多的披萨。
总结：
- 超薄晶圆是为特定应用而设计的 极度薄 的晶圆。
- TAIKO 晶圆是为了更容易处理标准厚度甚至更厚的晶圆而进行 选择性背面研磨 的晶圆。
