SOI晶圆，全名“绝缘体上硅”（Silicon-On-Insulator）晶圆，是一种多层结构晶圆，由以下三层材料组成：
- 顶层：优质硅活性顶层（器件层），用于制造晶体管和其他器件。
- 中间层：电绝缘二氧化硅的氧化埋层（BOX），用于隔离顶层器件层和底层衬底。
- 底层：衬底硅片（支撑衬底晶圆），为整个结构提供支撑。
SOI晶圆的制造方法主要有两种：
- 简化氧化物隔离法（SIMOX）：先在衬底硅上生长一层热氧化硅，然后使用高剂量氧离子植入 (SIMOX) 工艺在氧化硅中创建埋层氧化层。
- 键合法：将薄硅片（器件层）与厚氧化硅衬底（BOX）键合在一起。
SOI晶圆具有以下优点：
- 降低寄生电容：由于器件层和衬底之间存在绝缘层，寄生电容显著降低，从而提高了器件的开关速度和减少了功耗。
- 提高集成度：更薄的器件层允许在相同面积上制造更多的晶体管。
- 改善器件性能：绝缘层可以隔离器件层中的寄生效应，从而提高器件的性能和可靠性。
SOI晶圆主要应用于以下领域：
- 微机电系统（MEMS）：SOI晶圆是制造MEMS器件的理想材料，因为它们可以提供良好的机械强度、电气隔离和尺寸稳定性。MEMS器件应用于各种领域，包括汽车、医疗、航空航天和消费电子产品。
- 射频（RF）器件：SOI晶圆的高频性能使其成为制造RF器件的理想材料，例如射频滤波器、功率放大器和混频器。RF器件应用于各种领域，包括手机、基站和雷达。
- 功率器件：SOI晶圆的高击穿电压和低开关损耗使其成为制造功率器件的理想材料，例如MOSFET和IGBT。功率器件应用于各种领域，包括电源转换、电机控制和可再生能源。
- 逻辑器件：SOI晶圆的低功耗和高性能使其成为制造逻辑器件的理想材料，例如微处理器和ASIC。逻辑器件应用于各种领域，包括计算机、智能手机和服务器。
随着SOI技术的发展和成本的降低，SOI晶圆在半导体行业中的应用将越来越广泛。
