SiC 晶圆，全称碳化硅晶圆，是一种由碳和硅原子以共价键结合而成的单晶材料制成的晶圆，SiC 晶圆是第三代半导体材料的代表之一，具有广阔的应用前景。随着 SiC 晶圆制造技术的不断进步和成本的不断下降，SiC 晶圆将在越来越多的领域得到应用。SiC 晶圆具有以下优点：
- 高导热率：SiC 的导热率是硅的 3 倍以上，这意味着它可以更有效地散热，这使其非常适合高功率和高频应用。
- 高击穿电压：SiC 的击穿电压是硅的 10 倍以上，这意味着它可以承受更高的电压，这使其非常适合高压应用。
- 宽禁带宽度：SiC 的禁带宽度是硅的 3 倍以上，这意味着它可以承受更强的电场和更高的温度，这使其非常适合苛刻的环境应用。
SiC 晶圆主要应用于以下领域：
- 功率电子器件：SiC 晶圆是制造功率电子器件的理想材料，例如 MOSFET、IGBT 和晶体管。功率电子器件应用于各种领域，包括电源转换、电机控制和可再生能源。
- 射频（RF）器件：SiC 晶圆的高频性能使其成为制造 RF 器件的理想材料，例如射频滤波器、功率放大器和混频器。RF 器件应用于各种领域，包括手机、基站和雷达。
- 汽车电子：SiC 晶圆的高耐热性和可靠性使其成为制造汽车电子的理想材料，例如电机控制器、逆变器和充电器。汽车电子应用于各种汽车系统，包括动力系统、制动系统和悬架系统。
- 航空航天和国防：SiC 晶圆的高强度和耐辐射性使其成为制造航空航天和国防应用的理想材料，例如雷达、电子战系统和激光器。
碳化硅（SiC）是一种合成材料，在自然界中极其稀有。SiC晶圆的生产主要有以下两种方法：
1. 物理气相沉积法 (PVT)
PVT法是将SiCl4和CH4等原料气体在高温、高压下注入密闭的反应腔中，在籽晶表面上生长SiC晶体。PVT法是目前最主要的SiC晶圆生产方法，可以生产高质量的大尺寸SiC晶圆。
2. 外延生长法
外延生长法是在现有的SiC衬底上生长SiC晶体。外延生长法的常用方法包括：
- 莱利法（Lely method）：将SiC粉末在高温下升华，然后在籽晶上沉积生长SiC晶体。莱利法可以生产高质量的SiC晶体，但生长速度较慢。
- 提琴法（Stepanov method）：在SiC衬底上刻蚀微槽，然后在高温下注入SiCl4和CH4等原料气体，在微槽中生长SiC晶体。提琴法可以生产大面积的SiC晶体，但晶体质量不如莱利法。
SiC晶圆的生产过程通常包括以下步骤：
- 原料制备：将SiCl4、CH4等原料气体进行净化处理。
- 籽晶准备：将SiC衬底切成所需的尺寸，并进行抛光和清洗。
- 生长：将原料气体注入反应腔中，在高温、高压下生长SiC晶体。
- 退火：生长完成后的SiC晶圆需要进行退火，以消除生长过程中产生的缺陷。
- 切割：将SiC晶圆切割成所需的尺寸。
- 研磨抛光：对SiC晶圆进行研磨抛光，以获得平滑的表面。
- 清洗：对SiC晶圆进行清洗，以去除表面的残留物。
- 检测：对SiC晶圆进行检测，以确保其符合质量要求。
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碳化硅 (SiC) 晶圆的性能优于硅和砷化镓。SiC 的特性非常适用于以下应用：
- 短波长光电
- 高温
- 抗辐射
- 大功率/高频电子设备
您可以购买直径从 5mm x 5mm 到 150mm 的单个晶圆。
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