Si3N4 镀膜硅片，又称氮化硅镀层硅片，是一种通过在硅衬底上沉积一层薄薄的氮化硅 (Si3N4) 薄膜制成的半导体衬底。氮化硅是一种坚硬的陶瓷材料，具有极高的耐热性、抗氧化性和耐腐蚀性。 同时，它也是一种良好的电绝缘体，使其成为各种半导体应用的理想材料。
晶基为您的硅片需求提供各种薄膜处理选项。这包括 LPCVD 氮化物，晶基可以提供化学计量沉积的 LPCVD 氮化物晶圆、低应力 LPCVD 氮化物晶圆以及超低应力 LPCVD 氮化物晶圆。我们还提供高质量 PECVD 氮化物、低应力 PECVD 氮化物和 PECVD 氮氧化物。晶圆直径可从 2 英寸到 300 毫米，氮化物厚度可从 100 Å 到 20,000 Å。 您可以订购任何数量的晶圆，没有最小起订量的要求
Si3N4 镀膜硅片的制作主要通过化学气相沉积 (CVD) 工艺实现，具体步骤如下：
- 硅片清洗： 首先对硅片进行严格的清洗，去除表面杂质和缺陷，确保后续沉积过程的顺利进行。常用的清洗方法包括超声波清洗、化学清洗等。
- 加载硅片： 将清洗后的硅片放入 CVD 反应腔内，固定在基座上。
- 引入气体： 将反应所需的载气和沉积前驱体气体注入反应腔内，并调节气体流量和温度至设定值。常用的载气为氮气，沉积前驱体气体通常为硅烷 (SiH4) 和氨气 (NH3)。
- 沉积反应： 在高温 (通常为 700-850°C) 下，硅烷与氨气在硅片表面发生化学反应，生成氮化硅薄膜。反应方程式如下：
3SiH4 + 4NH3 → Si3N4 + 6H2 + 6H2O
- 参数控制： 通过调节温度、压力、气体流量等参数，控制氮化硅薄膜的厚度、均匀性和致密度。
- 冷却退火： 沉积完成后，将反应腔缓慢冷却至室温，以消除薄膜中的应力。
- 检验测试： 对制备好的 Si3N4 镀膜硅片进行厚度、均匀性、致密度、缺陷等方面的检验测试，确保其符合性能要求。
Si3N4 镀膜硅片的应用：
Si3N4 镀膜硅片广泛应用于各类半导体领域，例如：
- 栅极绝缘层： Si3N4 可以用作晶体管中的栅极绝缘层，隔离栅极电极和沟道，提高晶体管的性能和稳定性。
- 钝化层： Si3N4 可以用作钝化层，保护底层硅免受污染物损伤，提高器件的可靠性。
- 扩散掩模： Si3N4 可以用作扩散掩模，在掺杂剂扩散过程中选择性地掩盖硅片某些区域，实现掺杂剂的定向分布。
- 微机电系统 (MEMS) 器件： Si3N4 可用于制造各种微机电系统器件，例如传感器、执行器和谐振器，凭借其高硬度和耐腐蚀性，适用于苛刻环境中的应用。
- 光学组件： Si3N4 可用于制造透镜、棱镜、波导等多种光学组件，由于其高折射率和良好的光学性能，在光学领域具有广阔的应用前景。
