金属薄膜晶圆是一种在硅或者非硅的晶圆衬底表面沉积一层薄金属膜的半导体晶圆，其金属薄膜是通过以下几种技术沉积到晶圆上的：
- 物理气相沉积 (PVD)： 在 PVD过程中，来自金属靶材的原子被物理喷出并沉积到晶圆表面。常见的 PVD 技术包括溅射和蒸发。
- 化学气相沉积 (CVD)： 在 CVD 过程中，气态前驱体化合物在晶圆表面发生化学反应，形成所需的金属薄膜。
- 原子层沉积（ALD）：是一种薄膜沉积技术，在原子水平上提供对膜厚度和均匀性的精确控制。它已成为沉积金属薄膜的一种方法，制作出来的薄膜往往非常的薄。
- 电镀 （EP）：是将衬底涂布一层种子层后浸入电镀槽，以电镀方式将金属薄膜沉积在晶圆表面的金属薄膜制作方法，适合制作厚度较厚的金属薄膜 。
我们提供以下镀膜的金属硅片，厚度可任意选择，4寸，6寸，8寸，12寸，
通过溅射 Sputter /蒸发金属 PVD 支持的金属薄膜：
- 铝（Al）
- 铝/硅（AlSi）– .1%, 1%, 2%
- 铝/铜（AlCu） – .5%, 1%, 4%
- 氮化铝（反应性）
- 氧化铝（Al2O3）
- 碳 （C）
- 铬 （Cr）
- 氧化铬（Cr2O3）- 非反应性
- 铬硅（CrSi）
- 钴 （Co）
- 铜（Cu）
- 铜镍合金（CuNi）–60/40
- 锗 （Ge）
- 金 （Au）
- 铪（Hf）
- 氧化铟锡（ITO）
- 铁（Fe）
- 钼 （Mo）
- 镍（Ni）
- 铌（Nb）
- 钯（Pd）
- 铂（Pt）
- 钌（Ru）
- 硅 – 掺杂和未掺杂
- 碳化硅 （SiC）
- 银 （Ag）
- 钽（Ta）
- 氮化钽（TaN）
- 锡 （Sn）
- 钛（Ti）
- 氧化钛（TiO2）
- 氮化钛（TiN）
- 钛钨（TiW）
- 钨（W）
- 氮化钨（WN）
- 钨硅（WSI）
- 锆（Zr）
- 氧化锆（ZrO2）
采用PECVD或LPCVD或者ALD工艺沉积的薄膜：
CVD 金属：
钴（Co）
氮化钴（CoN）
钛（Ti）
氮化钛（TiN）
钨（W）
氮化钨（WN）
碳化硅（SiC）
碳化硅氮化物（SiCN）（SiCO）
氮化硅（SiN）
氮氧化硅（SiON）
原子层沉积（ALD）金属：
氧化铝（Al2O3）
氧化镍（NiO）
氮化铌（NbN）
氧化铌（NiO2）
五氧化二铌（Nb2O5）
碳化硅（SiC）
SiCN
SICO
氮化硅（SiN）
SiON
钨（W）
氮化钛（TiN）
氮化镍（NiN）
电镀金属：
锡（Sn）或锡合金
铜（Cu）
镍（Ni）
银（Ag）
金（Au）
钯（Pd）
铂（Pt）
